電子IC/IGBT

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SI3493BDV トランジスタ/ FET-シングル/ MOSFET Pチャンネル、酸化金属

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基本情報

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型    番:SI3493BDV

テープ:集積回路(IC)

メーカー:vishay

状 況:在庫 新品 オリジナル

鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応

仕様

基準パッケージ   1

カテゴリー  ディスクリート半導体製品

ファミリー FET-シングル

シリーズ TrenchFET®

梱包形態   カット テープ(CT)  

FETタイプ MOSFET Pチャンネル、酸化金属

FET機能 標準

ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8A (Tc)

Id、Vgs印加時のRds On(最大) 27.5ミリオーム @ 7A、4.5V

Id印加時のVgs(th)(最大) 900mV @ 250µA

Vgs印加時のゲート電荷(Qg) 43.5nC @ 5V

Vds印加時の入力容量(Ciss) 1805pF @ 10V

電力 - 最大 2.97W

実装タイプ 面実装

梱包形態/ケース SOT-23-6薄型、TSOT-23-6

 

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